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J-GLOBAL ID：201602236398596650   整理番号：16A0638883

バルクFinFET技術におけるフィン形状とインプラントの最適化【Powered by NICT】

Optimization of fin profile and implant in bulk FinFET technology

著者 (17件)： Wu Y.-S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Tsai C.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Miyashita T. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Chen P.-N. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Hsu B.-C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Wu P.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Hsu H.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Chiang C.-Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Liu H.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Yang H.-L. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Kwong K.-C (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Chiang J.-C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Lee C.-W. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Lin Y.-J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Lu C.-A. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Lin C.-Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.) ,  Wu S.-Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd., 168, Park Ave. 2, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクFinFETデバイス特性に及ぼすフィン形状効果の包括的解析について述べた。最適フィンプロフィールと抗パンチスルー(APT)注入プロフィルはDC性能と多重Vt提供能力,システムオンチップ(SoC)応用に必須であるために重要である。バルクFinFET技術のための実用的なデバイス設計ガイドラインを提供した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パンチスルー ,  *最適化 ,  多重化 ,  形状効果 ,  *フィン
準シソーラス用語： デバイス設計 ,  システムオンチップ ,  デバイス特性 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  FinFET ,  フィン ,  インプラント ,  最適化