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J-GLOBAL ID：201602236908812190   整理番号：16A1216931

不純物の外部/内部(燐)ゲッタリングに及ぼす多結晶Siの結晶粒界特性の影響

Effect of grain boundary character of multicrystalline Si on external and internal (phosphorus) gettering of impurities

著者 (4件)： Joonwichien Supawan (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Takahashi Isao (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Kutsukake Kentaro (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 24  号： 12  ページ： 1615-1625  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 燐拡散ゲッタリング(PDG)時の不純物の外部/内部ゲッタリング効率に及ぼす結晶粒界(GB)特性の影響を調べた。GB構造を持つ種結晶を設計し,異なる人工GB特性を持つ多結晶Siインゴットを成長させた。独自に開発した低温での多サイクルゲッタリング法とPDGの組合せを,意図的にFe汚染させた多結晶Si試料に導入し,外部/内部ゲッタリングを増強した。多サイクル法とPDGの組合せにより,有意な正のPDG効果が観測された。PDG後の人工Σ5-GBと傾斜GBに対して汚染されたGBの周囲に明るい雲状光ルミネセンス信号が観測され,GBの周りに清浄な領域を残すことによる内部ゲッタリング効率の向上を示唆した。この結果はPDG効率に強く影響する可能性のある多結晶Siインゴット中の不純物と共に結晶欠陥特性の制御の重要性を示唆する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 不純物 ,  *ゲッタリング ,  *ポリシリコン ,  *結晶粒界 ,  リン ,  固体内拡散 ,  インゴット ,  結晶成長 ,  光ルミネセンス

著者キーワード (4件)： artificial grain boundary ,  phosphorus diffusion gettering ,  internal gettering ,  multicrystalline Si

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物 ,  燐 ,  ゲッタリング ,  多結晶Si ,  結晶 ,  粒界特性