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J-GLOBAL ID：201602238491487045   整理番号：16A0726504

ミスト化学蒸着によりm面サファイア基板上に成長させたSnO_2薄膜【Powered by NICT】

SnO₂ thin films grown on m-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition

著者 (7件)： Otabe Tatsuya (Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University, Japan) ,  Sato Takehide (Faculty of Engineering, Kumamoto University, Japan) ,  Matsushita Junya (Faculty of Engineering, Kumamoto University, Japan) ,  Yatabe Zenji (Priority Organization for Innovation and Excellence, Kumamoto University, Japan) ,  Sue Koji (Faculty of Engineering, Kumamoto University, Japan) ,  Nagaoka Shoji (Kumamoto Industrial Research Institute, Japan) ,  Nakamura Yusui (Graduate School of Science and Technology, Kumamoto University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代パワーと光デバイスを実現するための候補として,二酸化すず(SnO_2)薄膜を大気圧ミスト化学気相成長法による2インチ直径m面サファイア基板上に成長させた。SnO_2薄膜を走査電子顕微鏡(SEM),θ-2θとO/走査モードにおけるX線回折(XRD),及び電子後方散乱回折(EBSD)によって特性化した。SEM画像は,粗い表面形態を示したが,XRDとEBSD測定からSnO_2膜は,最適化された成長条件下で基板上にエピタキシャル成長させたことであった。XRDとEBSDの結果は,基板上の三つの典型的な地域でのエピタキシャルSnO_2薄膜成長を確認した。単結晶SnO_2(001)薄膜は,2インチサファイア基板を横切って形成された可能性がある。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜成長 ,  *薄膜 ,  最適化 ,  走査電子顕微鏡 ,  *ミスト ,  単結晶 ,  キャラクタリゼーション ,  エピタクシー ,  X線回折
準シソーラス用語： 成長条件 ,  表面形態 ,  SEM画像 ,  EBSD ,  二酸化スズ ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 音響信号処理  (BB03050C) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  データ通信  (ND11040A) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ミスト ,  化学蒸着 ,  サファイア基板 ,  成長 ,  薄膜