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J-GLOBAL ID：201602239734119525   整理番号：16A0726661

低オン抵抗ノーマリオフ二重チャネルMOS-HEMTのための臨界ヘテロ構造の設計【Powered by NICT】

Critical heterostructure design for low on-resistance normally-off double-channel MOS-HEMT

著者 (7件)： Wei Jin (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Liu Shenghou (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Li Baikui (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Tang Xi (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Tang Gaofei (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Zhang Zhaofu (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ノーマリオフゲートリセス二重チャネルMOS-HEMT(DC-MOS-HEMT)は最近(1)低オン抵抗と(2)リセス深さに対するしきい値電圧の低感度の利点を実証した。低全オン抵抗を達成するための重要な設計パラメータは,二チャネル間の電気的結合の強さを決定する二ヘテロ接合チャネルの分離であると同定した。結合はより大きな分離の結果として弱い場合,アクセス領域における上部チャンネルはゲート制御低いチャネルから電気的に絶縁されてとアクセス抵抗の低下に寄与することができない。結合は小さい分離の結果として強い場合,アクセス領域における上部および下部ヘテロ接合チャネルの両方が効果的にゲートによって制御される低いヘテロ接合チャネルに接続された,低オン抵抗を可能にするように上部および下部チャネルは電気的に「融合」。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 臨界 ,  *チャネル ,  *オン抵抗 ,  ヘテロ接合 ,  *HEMT
準シソーラス用語： ゲート制御 ,  設計変数 ,  閾値電圧 ,  *ヘテロ構造 ,  *デュアルチャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (7件)： オン抵抗 ,  二重チャネル ,  MOS ,  HEMT ,  臨界 ,  ヘテロ構造 ,  設計