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J-GLOBAL ID：201602240150189866   整理番号：16A1030180

90nm・CMOSによる10GHzバイアス変調E級電力増幅器【Powered by NICT】

A 10-GHz bias modulated class-E power amplifier in 90-nm CMOS

著者 (3件)： Chen Sheng-Ting (Institute of Electronics Engineering/Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University) ,  Lee Yi-Chun (Institute of Electronics Engineering/Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University) ,  Liu Jenny Yi-Chun (Institute of Electronics Engineering/Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： RFIT  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全集積化高効率10GHzのE級電力増幅器の試作品は,CMOS90nm技術で実証した。11.7dBmの出力電力,-10.32dBmの出力1dB圧縮点,および1.5Vの電源電圧で40.36%の電力付加効率に達した。多出力DC-DCコンバータは,異なるパワーレベルで効率を最適化するための電力増幅器にいくつかの異なる制御された電圧を提供するために提案し,エンベロープ除去および復元システムの一部として拡張することができる。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  *電力増幅器 ,  電力付加効率 ,  電圧 ,  変換器 ,  *バイアス ,  *CMOS
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  出力電力 ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  バイアス ,  変調 ,  電力増幅器