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J-GLOBAL ID：201602241538674123   整理番号：16A0630811

YAlO₃(001)基板上でのCr₂O₃薄膜の成膜条件の最適化および結晶構造解析

Structure Analyses and Optimization of deposition condition for Cr₂O₃ thin films grown on Surface Treated YAlO₃(001) Substrates

著者 (8件)： 橋本浩佑 (日本大 理工) ,  隅田貴士 (日本大 理工) ,  福井慎二郎 (日本大 理工) ,  平戸剛志 (日本大 理工) ,  柳原康宏 (日本大 理工) ,  永田知子 (日本大 理工) ,  山本寛 (日本大 理工) ,  岩田展幸 (日本大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 101(OME2016 18-26)  ページ： 19-22  発行年： 2016年06月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： YAlO₃(001)_o基板を12MのNaOH水溶液でエッチングし,Cr₂O₃薄膜の成膜条件の最適化および結晶構造を評価した。成膜温度560°C,580°Cともに,溝を含む薄膜表面となったが,580°Cで成膜を行ったものでは,溝が少なく,結晶性の良い平坦な薄膜が得られることがわかった。逆格子マップより,YAO[0 1 0]_o//±Cr₂O₃[-1 1 1]_h,YAO[1 0 0]_o//Cr₂O₃[1 1 0]_h,YAO(1 0 0)_o//±Cr₂O₃(1-1 0 2)_hの関係を持ってエピタキシャル成長していることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化クロム ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  *イットリウム ,  *結晶構造解析 ,  構成 ,  写像 ,  気相成長
準シソーラス用語： *Y ,  *クロム酸化物 ,  気相エピタキシャル成長 ,  逆格子マッピング ,  *酸化物薄膜 ,  成膜

分類 (3件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  気相めっき  (WC08022K) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： YAlO3 ,  Cr2O3 ,  薄膜 ,  成膜条件 ,  最適化 ,  結晶構造解析