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J-GLOBAL ID：201602242405823024   整理番号：16A0665248

配向中間層付金属基板上に作製した自己組織化人工ピンニングセンターを保つRE-Ba-Cu-O超伝導薄膜における強磁場・低温中における超伝導特性評価

著者 (6件)： 一野祐亮 (名大 エコ研) ,  吉田隆 (名古屋大 工) ,  三浦峻 (名古屋大 工) ,  杉原和樹 (名古屋大 工) ,  土屋雄司 (東北大 金属材料研) ,  淡路智 (東北大 金属材料研)
資料名： 東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告  (Annual Report. High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University)
巻： 2015  ページ： 7-9  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： X0986A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは,BaHfO₃(BHO)を添加したSm-Ba-Cu-O薄膜を単結晶基板上に低温成長し,ピン止めとして働く高密度のBHOナノロッドの形成に成功している。本研究では,線材に最適な人工ピンに対する指針を得るために,線材としての実用化に不可欠な配向中間層付き金属テープ上に膜を成長し,超伝導特性の評価を行った。膜厚30nmのSm-Ba-Cu-Oシード層を840°Cで堆積後,300nm厚さの3.8vol%BHOを添加したSm-Ba-Cu-O上部膜を低温(750°C)および高温(840°C)で堆積した。高温で作製した試料は77.3Kにおいて16.9Tの最高の不可逆磁場を示した。一方,低温で成長した試料は4.2Kで優れた特性を示し,単結晶基板上と同様に低温ピン止めに有効であることを明らかにした。

シソーラス用語： *超伝導薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *サマリウム化合物 ,  *バリウム化合物 ,  *金属酸化物 ,  *銅化合物 ,  *ハフニウム化合物 ,  *酸素酸塩 ,  *磁束ピン止め ,  超伝導線 ,  *ナノロッド
準シソーラス用語： *SmBCO ,  自己組織化膜

分類 (1件)： 電線・ケーブル  (NA05020S)

タイトルに関連する用語 (16件)： 配向 ,  中間層 ,  金属基板 ,  作製 ,  自己組織化 ,  人工 ,  ピンニング ,  センター ,  Re ,  Ba ,  Cu ,  超伝導薄膜 ,  強磁場 ,  低温 ,  超伝導特性 ,  評価