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J-GLOBAL ID:201602243549304822   整理番号:16A0387716

薄いTiO2界面層を用いた低仕事関数Ybを使ったn型Geに対する低接触抵抗率

Low resistivity contact on n-type Ge using low work-function Yb with a thin TiO2 interfacial layer
著者 (6件):
資料名:
巻: 108  号: 10  ページ: 103507-103507-4  発行年: 2016年03月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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金属-絶縁体-半導体構造 

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