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J-GLOBAL ID：201602243549304822   整理番号：16A0387716

薄いTiO₂界面層を用いた低仕事関数Ybを使ったn型Geに対する低接触抵抗率

Low resistivity contact on n-type Ge using low work-function Yb with a thin TiO₂ interfacial layer

著者 (6件)： DEV Sachin (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND) ,  REMESH Nayana (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND) ,  RAWAL Yaksh (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND) ,  MANIK Prashanth Paramahans (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND) ,  WOOD Bingxi (Applied Materials, Inc., Santa Clara, California 94085, USA) ,  LODHA Saurabh (Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, IND)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 108  号： 10  ページ： 103507-103507-4  発行年： 2016年03月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 仕事関数 ,  N型半導体 ,  境界層 ,  電気抵抗率 ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  酸化チタン ,  半導体薄膜 ,  *比率 ,  高さ ,  MIS構造 ,  界面層 ,  二酸化チタン ,  障壁高さ ,  層
準シソーラス用語： *接触抵抗率

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiO2 ,  界面層 ,  仕事関数 ,  Yb ,  Ge ,  接触抵抗率