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J-GLOBAL ID：201602243893220506   整理番号：13A1254073

Gate leakage current reduction in IP3 SRAM cells at 45 nm CMOS technology for multimedia applications

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著者 (3件)：
Singh R K

Singh R K について

(Bipin Tripathi Kumaon Inst. of Technol., India, Dwarahat)

Bipin Tripathi Kumaon Inst. of Technol., India, Dwarahat について

, 
Shukla Neeraj Kr

Shukla Neeraj Kr について

(ITM Univ., Dep. of EECE, India, Gurgaon)

ITM Univ., Dep. of EECE, India, Gurgaon について

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Pattanaik Manisha

Pattanaik Manisha について

(ABV-IIITM, VLSI Group, Dep. of IT, India, Gwalior)

ABV-IIITM, VLSI Group, Dep. of IT, India, Gwalior について


資料名：
Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)

Journal of Semiconductors について


巻： 33  号： 5  ページ： 055001-1-055001-5  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (3件)：
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IP3

IP3 について

, 
SRAM

SRAM について

, 
CMOS

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