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J-GLOBAL ID：201602248172739197   整理番号：16A0697707

高側適用のための2段階酸化プロセスによるSTI nLDMOSのホットキャリア誘起劣化に及ぼす調査【Powered by NICT】

Investigation on Hot-Carrier-Induced degradation of STI-nLDMOS with two-step-oxide process for high side application

著者 (7件)： Wei Jiaxing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhang Chunwei (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Liu Siyang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing, China) ,  Su Wei (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Zhang Aijun (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China) ,  Ma Shulang (CSMC Technologies Corporation, Wuxi, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISPSD  ページ： 383-386  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ハイサイド応用(HS nLDMOSと呼ぶ)に適用した二段階酸化プロセスと30Vシャロートレンチアイソレーション(STI)n型横DMOS(nLDMOS)のホットキャリア誘起(HCI)劣化機構を研究した。Ron,sp(ハイサイド条件下で測定したオン抵抗)は,Ron,ls(低側条件下で測定したオン抵抗)よりもより多くの損傷影響を抱えていることを意味している。さらに,HS nLDMOSはRon,LSの代わりにRon,HSで評価したとき,最大ゲート電圧ストレス条件(Vgmax)への最大基板電流ストレス条件(Isubmax)から最悪の応力条件のシフトが観察された。本研究は装置の正確な寿命を評価するためにVgmaxストレス条件下でRon,HSによるHS nLDMOSの分解を推定する示唆している。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  *ホットキャリア ,  *酸化
準シソーラス用語： 電流ストレス ,  ゲート電圧 ,  劣化機構 ,  シャロートレンチアイソレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高 ,  段階 ,  酸化プロセス ,  STI ,  ホットキャリア ,  誘起 ,  調査