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J-GLOBAL ID：201602249771039602   整理番号：16A1374007

炭化ケイ素パワートランジスタのゲートおよびベースドライバ:概要

Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview

著者 (2件)： Peftitsis Dimosthenis (Laboratory for High Power Electronics Systems, ETH Zurich, Zurich, Switzerland) ,  Rabkowski Jacek (Institute of Control and Industrial Electronics, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 31  号： 10  ページ： 7194-7213  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)パワートランジスタは,パワーエレクトロニクスの様々な応用分野において重要性を増し始めている。過去10年間,SiCパワートランジスタは,高効率,高スイッチング周波数,および高温での動作が目標とされるアプリケーションでは,潜在的なものとしてだけでなく,シリコンの代替品として数えられた。様々なSiCデバイス設計が提案されており,シミュレーションおよび実験研究に関する多くの調査は,シリコン技術と比較して有利な性能を示している。しかし,システムレベルでは,SiCパワートランジスタのゲートおよびベースドライバの設計は非常に困難である。特に,高度なドライバ設計は,トランジスタの適切なスイッチングとスイッチング電力損失の低減だけでなく,保護機能を組み込むとともに電磁適合性に準拠する必要がある。本稿では,いくつかの優れた科学者によって提案されたSiCパワートランジスタのゲートドライバとベースドライバの概要を示した。特に,各ドライバの基本的な動作原理とその適用可能性と欠点を提示した。この概要では,接合電界効果トランジスタ,バイポーラ接合トランジスタ,および金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの三つの最も成功したSiCパワートランジスタについて検討した。最後に,ゲートとベースドライバの設計に関する今後の課題も提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *電力トランジスタ ,  ゲート【半導体】 ,  ベース【半導体】 ,  周波数 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： スイッチング周波数 ,  パワートランジスタ ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化ケイ素 ,  パワートランジスタ ,  ゲート ,  ドライバ ,  概要