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J-GLOBAL ID：201602249842450960   整理番号：16A0472293

シリコン結晶中のホウ素欠陥のX線光電子分光解析:第1原理研究

X-ray photoelectron spectroscopy analysis of boron defects in silicon crystal: A first-principles study

著者 (3件)： Yamauchi Jun (Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama 223-8522, Japan) ,  Yoshimoto Yoshihide (Dep. of Computer Sci., Graduate School of Information Sci. and Technol., The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, Japan) ,  Suwa Yuji (Res. and Dev. Group, Hitachi, Ltd., 1-280, Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 119  号： 17  ページ： 175704-175704-9  発行年： 2016年05月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  結晶 ,  *ホウ素 ,  *格子欠陥 ,  X線光電子分光法 ,  *結合エネルギー ,  *エネルギー ,  第一原理 ,  クラスタ ,  *ドーピング ,  P型半導体 ,  内殻準位 ,  *X線光電子スペクトル ,  *イオン注入
準シソーラス用語： 欠陥形成 ,  *形成エネルギー

分類 (5件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  磁気共鳴,電子分光,その他の原子スペクトル  (BH03050U) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン結晶 ,  ホウ素 ,  欠陥 ,  X線光電子分光 ,  解析 ,  第1原理 ,  研究