射出成形はんだ(IMS)技術のためのマスク材料としてのフォトレジストの開発状況【Powered by NICT】

Hasegawa Koichi; Mukawa Jun; Takahashi Seiichirou; Kobata Chihiro; Ohkita Kenzo; Kusumoto Shiro; Aoki Toyohiro; Nakamura Eiji; Hisada Takashi; Mori Hiroyuki; Orii Yasumitsu

文献

J-GLOBAL ID：201602250486517016 整理番号：16A0636987

射出成形はんだ(IMS)技術のためのマスク材料としてのフォトレジストの開発状況【Powered by NICT】

Development status of photoresist as mask material for Injection Molded Solder (IMS) technique

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=16A0636987&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=16A0636987&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 2016 号： Pan Pacific ページ： 1-6 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

多数I/OのICチップとパッケージの高密度実装を実現できることを新しいバンプ形成技術は,電子部品実装の分野で必要である。現在,電気めっき法あるいははんだボール配置法は直径100ミクロンまではんだバンプを作製するための広く採用されている。しかし,これら電流バンプ形成法といくつかの限界がある。例えば,電気めっき法の場合には,この方法で作製したはんだバンプ組成は限られている。さらに,めっき溶液の漸進的組成シフトを防ぐためにめっき液の注意深い保全が必要である。最近,射出成形はんだ(IMS)と呼ばれる新しいバンピングプロセスを提案した,これはフォトレジストパターン化アレイの穴への溶融はんだの直接注入を可能にした。本論文では,フォトレジスト現像の現状と優れたはんだ充填率を得るための最近の成果について述べた。高はんだ充填率を得るための重要な因子の一つは高温でフォトレジストからのアウトガスの量を低減することである,フォトレジスト穴に平滑はんだ充填を妨げた。このような問題を解決するために,高い熱安定性を有する新しいフォトレジストを設計し開発した。欠陥の数はIMSプロセスに改善したフォトレジストを適用することにより劇的に減少した。現在,直径50μmのはんだバンプアレイは欠陥をもつ6インチウエハ上へのはんだとしてSAC305で形成された完全になかった。また,直径20μmまでのホールで観測された優れたはんだ充填。,はんだ高さ均一性と熱リフロー自由プロセスのような,IMSのいくつかの他の利点についても述べた。における材料と製造プロセスのいくつかの重要な進歩であるが,はるかに安定で信頼性の高いIMSプロセスを確立するための材料設計を修正する余地がある。例パラメータとして,弾性係数及び溶融はんだ濡れ性の影響についても述べた。は近い将来12インチウエハと完全はんだ充填を実現することである。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , ,
, , , 【Automatic Indexing@JST】

パターン認識 , 生体計測

, , , , ,

前のページに戻る