TAKAGI S. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
TAKAGI S. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
NOGUCHI M. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
KIM S.-H. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
KIM S.-H. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
KIM S.-H. について
Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR について
CHANG C.-Y. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
CHANG C.-Y. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
YOKOYAMA M. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
YOKOYAMA M. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
NISHI K. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
NISHI K. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
ZHANG R. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
ZHANG R. について
Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
TAKENAKA M. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
TAKENAKA M. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
Solid-State Electronics について
MOSFET について
FET【トランジスタ】 について
ゲルマニウム について
化合物半導体 について
移動度 について
表面準位 について
論理回路 について
輸送現象 について
酸化ゲルマニウム について
ウエハ【IC】 について
トンネルFET について
III-V半導体 について
CMOS論理回路 について
キャリア輸送 について
Si基板 について
固体デバイス製造技術一般 について
トランジスタ について
低電力 について
集積システム について
Ge について
MOSデバイス について