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J-GLOBAL ID:201602253522667988   整理番号:13A1480015

Fabrication of 0.3-m T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition

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資料名:
巻: 55  号:ページ: 644-648  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2587A  ISSN: 1674-7348  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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