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J-GLOBAL ID：201602254125815597   整理番号：16A1006974

室温転位関連ルミネセンスによるSi:Si LEDs

Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence

著者 (10件)： Sobolev N. A. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Kalyadin A. E. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Konovalov M. V. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Aruev P. N. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Zabrodskiy V. V. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Shek E. I. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Shtel’makh K. F. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Shtel’makh K. F. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia) ,  Mikhaylov A. N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Tetel’baum D. I. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 50  号： 2  ページ： 240-243  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siイオン注入と化学蒸着で作製したシリコンベースの発光ダイオード(LED)を調べた。室温転位関連エレクトロルミネセンス(EL)をn-Siに基づくLEDにおいて観測した。p-Siに基づくLEDでは,ELは220Kより高い温度でクエンチされる。EL励起効率を室温でD1ラインに対して,D1とD4に対して液体窒素温度で測定した。Copyright 2016 Pleiades Publishing, Ltd. Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  化学蒸着 ,  イオン注入 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *転位【結晶】 ,  シリコンウエハ ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  転位 ,  ルミネセンス ,  Si