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J-GLOBAL ID：201602254560126348   整理番号：16A0693078

正規のGaN HEMTのための共振ゲートドライバ【Powered by NICT】

Resonant Gate Driver for a Normally ON GaN HEMT

著者 (4件)： Okamoto Masayuki (Ube College, Ube, National Institute of Technology, Japan) ,  Ishibashi Takaharu (Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Japan) ,  Yamada Hiroaki (Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Japan) ,  Tanaka Toshihiko (Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Japan)
資料名： IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics  (IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics)
巻： 4  号： 3  ページ： 926-934  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2402A  ISSN： 2168-6777  CODEN： IJESN2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素と窒化ガリウム(GaN)などのワイドバンドギャップ半導体は,次世代パワーデバイスのための有望な材料である。通常のGaNベース高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はパワーエレクトロニクスコンバータのための作製した。しかし,GaN HEMTは,より高い周波数操作に使用する場合,以前に提案されたゲート駆動回路の電力消費が増加する通常のGaN HEMTのための低電力消費をもつ新しいゲート駆動回路が必須である。本論文では,著者らが作製したGaN HEMTのための最も適した新しい共振ゲート駆動回路を提案した。妥当性と提案した共振ゲート駆動回路のかなりの実用性を実験結果により実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  周波数 ,  ゲート回路 ,  *共振 ,  電力消費 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： 実用性 ,  低電力化 ,  パワーデバイス ,  ワイドギャップ半導体 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  電装品  (QG03070C)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  HEMT ,  共振 ,  ゲート ,  ドライバ