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J-GLOBAL ID：201602255151059248   整理番号：16A1056605

電解質-ゲーティング時のエピタキシャル酸化タングステン膜中の絶縁体-金属転移の発展

Evolution of Insulator-Metal Phase Transitions in Epitaxial Tungsten Oxide Films during Electrolyte-Gating

著者 (12件)： NISHIHAYA Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  UCHIDA Masaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOZUKA Yusuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KAWASAKI Masashi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIHAYA S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  UCHIDA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOZUKA Y. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWASA Y. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KAWASAKI M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IWASA Y. (RIKEN, Wako, JPN) ,  KAWASAKI M. (RIKEN, Wako, JPN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 8  号： 34  ページ： 22330-22336  発行年： 2016年08月31日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体と電解質の界面は様々な化学現象を示す。本研究では,電気二重層トランジスタ(EDLT)のゲーティング剤として二種類の電解質を用いて,WO₃薄膜の電場ゲーティングを調べた。何れの場合も,明確な絶縁体-金属転移が観測された。また,X線回折により両ゲーティング処理時の格子変形を調べた。ゲート電圧に依存して,c軸の長さの異なる一対の新しい相を明らかにした。これらの相の間で観測した相転移挙動は二種類のゲーティング処理の違いを明確に反映する。ドープしたキャリア密度,変形挙動,相転移の時定数を比較して静電的工程と電気化学的工程の違いを系統的に実証した。

シソーラス用語： 電解質 ,  固液界面 ,  *酸化タングステン ,  薄膜 ,  エピタクシー ,  *金属-絶縁体転移 ,  制御 ,  *トランジスタ ,  電気二重層 ,  X線回折
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  ゲーティング ,  *電気二重層トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電解質 ,  ゲーティング ,  エピタキシャル ,  酸化タングステン ,  絶縁体-金属転移 ,  発展