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J-GLOBAL ID：201602255576097644   整理番号：16A0989397

TiCl_4とTMA前駆体に基づく原子層堆積TiAlC金属ゲートの成長機構【Powered by NICT】

Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl_4 and TMA precursors

著者 (6件)： Xiang Jinjuan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ding Yuqiang (Chemical and Material Engineering, Jiangnan University) ,  Du Liyong (Chemical and Material Engineering, Jiangnan University) ,  Li Junfeng (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Wenwu (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Chao (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 3  ページ： 037308-1-037308-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のためのTiAlC金属ゲートを前駆体としてTiCl_4とAl(CH_3)3(TMA)を用いて原子層堆積法により成長させた。TiCl_4とTMA反応の主生成物は,TiAlCであり,CとAlの成分は高い成長温度と共に増加することが分かったことが分かった。反応機構をX線光電子分光法(XPS),Fourier変換赤外分光法(FTIR),および走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて調べた。反応機構は以下の通りである。TiはTMAによるTiCl_4の還元により生成した。TMAの還元挙動はエタンの形成を含んでいる。TMAによるTiCl_4の還元からTi異種TiCH_2,TiCH=CH_2とTiCフラグメントを形成する容易にエタンと反応した。さらに,TMAは熱的に分解し,Alを駆動するTiC膜へとTiAlC形成をもたらした。成長温度が増加すると,TMAはより激しく分解し,TiAlC膜中のCとAlよりをもたらした。膜組成はある程度まで成長温度により制御できた。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  *アルミニウム ,  走査電子顕微鏡 ,  半導体 ,  *チタン ,  FET【トランジスタ】 ,  反応機構 ,  MOSFET ,  *前駆体 ,  X線光電子分光法 ,  アルカン
準シソーラス用語： 成長温度 ,  *成長メカニズム ,  *メタルゲート ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層堆積 ,  金属ゲート ,  TiAlC ,  反応機構

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

物質索引 (1件)： エタン

タイトルに関連する用語 (5件)： TMA ,  前駆体 ,  原子層堆積 ,  金属ゲート ,  成長