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J-GLOBAL ID：201602256124497664   整理番号：16A0806992

Siに対する光源のためのMBEによるGaSb上の高引張歪Ge量子ドット【Powered by NICT】

Highly tensile-strained Ge quantum dots on GaSb by MBE for light sources on Si

著者 (5件)： Zhang Zhenpu (School of Physical Science and Technology, Shanghaitech University, Shanghai 200050, China) ,  Song Yuxin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Chen Qimiao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Gong Qian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Wang Shumin (School of Physical Science and Technology, Shanghaitech University, Shanghai 200050, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SUM  ページ： 82-83  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.4%の二軸引張歪はGe-[1]中のΓ谷及びL谷の間で136meVギャップを構成している,間接バンドギャップ半導体からのGeを変換する通信帯をカバーする効率的に光を発光できることを直接バンドギャップにできることを理論的に予測した。両キャリアの移動度を同時に劇的に増加する。引張り歪みGeをSiフォトニクスのための高速トランジスタと光源の可能性に大きな関心を集めている。を提案し,それはバンドギャップを変換すると同時に [2]での構造欠陥に鈍感大歪を保持できるのでInP上の引張り歪みGe量子ドット(QD)は,薄い膜よりもSi上の光源を実現するための良好な解であることを示した。本研究では,数MLにサブ単分子層(ML)の範囲の厚さをもつGaSb(001)上の引張り歪みGe量子ドットの分子ビームエピタクシー(MBE)を調べた。堆積したGe量子ドットの形成と発展を反射高エネルギー電子回折(RHEED)により調べ,表面形態を原子間力顕微鏡(AFM)により測定した。イチジク。1,RHEEDパターンはGe蒸着濡れ層の存在とStranski-Krastanov(SK)成長モードを示す1.7ML後dottyに変わることを示した。イチジク。2は異なるGeの厚さを持つ試料のAFM画像である。厚さは1ML以下のとき,Ge原子はGaSb原子ステップ上にランダムに核形成,サブ島を形成することが分かった。二次元成長がGaSb表面の完全な被覆率と1.7MLまで続けている。いくつかQDは1ML前に見つかったが,これは恐らく表面欠陥に起因すると考えられる。これらサブ島と1ML厚のGe膜は完全に歪んだ(7.2%引張歪)。厚さが1.7MLより大きい場合には,QDの明確な形成が観測された。QDは大部分が(110)方向に沿ったエッジをもつ長方形形状。RHEEDとAFMから観測された進化は一致した。その後,GaSbでキャップされた種々の厚さのGeの試料も成長させた。さらに光学的性質を含めた解析を実現した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MBE成長 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  バンドギャップ ,  リン化インジウム ,  移動度 ,  核形成 ,  原子間力顕微鏡 ,  単分子層 ,  被覆率 ,  表面欠陥 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： *引張歪 ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  MBE ,  GaSb ,  引張歪 ,  Ge ,  量子ドット