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J-GLOBAL ID：201602257063480140   整理番号：16A0449225

Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

Growth and characterization of Sn-containing group-IV semiconductor thin film

著者 (9件)： 志村洋介 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  志村洋介 (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  竹内和歌奈 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  坂下満男 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  黒澤昌志 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  黒澤昌志 (名古屋大 未来材料システム研) ,  中塚理 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  財満鎭明 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  財満鎭明 (名古屋大 未来材料システム研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 2(OME2016 1-17)  ページ： 23-26  発行年： 2016年04月01日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に,Siプロセスへの親和性が高く,歪およびエネルギーバンドギャップの制御が可能なSn系IV族半導体混晶が注目されている。我々は非平衡成長により固溶限を超えるSn原子の導入を達成し,その安定化に歪が大きく関与していることを見出した。また,様々なIV族半導体元素からなる多元系混晶の高品質薄膜成長に成功し,それらの物性評価を行った。特にエネルギーバンド構造の実験的評価により,Sn系IV族半導体混晶の光学デバイス応用への展望が大きく開けた。(著者抄録)

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  *混晶半導体 ,  *スズ ,  *バンド構造 ,  歪 ,  *薄膜成長 ,  依存性 ,  ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  シリコンフォトニクス ,  組成依存性 ,  *エネルギー帯
準シソーラス用語： *エネルギーバンド

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sn ,  混晶 ,  薄膜 ,  成長 ,  物性評価