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J-GLOBAL ID:201602257323662302   整理番号:16A0653039

チップの反りの非破壊試験法-シンクロトロン放射X線の応用【Powered by NICT】

Non-destructive testing method for chip warpage -Applications of synchrotron radiation X-ray
著者 (4件):
資料名:
巻: 2016  号: ICEP  ページ: 15-18  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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反りについて,最新電子パッケージ技術のための非常に重要な信頼性問題となっている。1つまたはそれ以上のチップは,デバイスの基板上に積層した。デバイスは,異なる物理的性質を持つ材料を含んでいる。最も顕著な問題は,これらの材料の熱膨張係数の違いである。作製中に,熱エネルギーはチップに適用した;これらの材料の膨張は,長期信頼性に有害であることをチップに及ぼす熱応力と反りを誘起する。電流がデバイスに印加すると,Joule加熱は,チップの反りを強化する可能性がある。Si-on-Siインターポーザ試料が問題を最小化するために紹介した。を種々の条件で反りレベルを分析in situに迅速で非破壊的方法を開発することが重要である。シンクロトロン放射X線は歪とSiダイの反りを測定した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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移動通信 
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