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J-GLOBAL ID：201602259719608576   整理番号：16A0952774

紫外照射下でのAmorphous-Indium-Gallium-Zinc-オキシド薄膜トランジスタの電気的不安定性【Powered by NICT】

Electrical Instability of Amorphous-Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors under Ultraviolet Illumination

著者 (7件)： Tang Lanfeng (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Lu Hai (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Ren Fangfang (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Zhou Dong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Zhang Rong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Zheng Youdou (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University) ,  Huang Xiaoming (Peter Grunberg Research Center, Nanjing University of Posts and Telecommunications)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 3  ページ： 038502-1-038502-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外線(UV)照射下でamorphous-indium-gallium-zinc-オキシド(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的不安定性挙動を研究した。UV照射線量が増加すると,TFTのターンオン電圧は連続負のシフト,サブ閾値スイングおよび電界効果移動度の劣化増強を同時に起こすことを示した。電気的不安定性は,デバイスチャネル,更なるUV照射に及ぼす酸素空孔関連欠陥の付加的な酸素空格子点生成とイオン化に起因し,それぞれが増加したキャリア濃度と欠陥状態に起因している。さらに,UV照射処理したa-IGZO TFTの性能は長時間貯蔵後にその初期状態に回復していくことができる。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 放射線量 ,  *不安定性 ,  *外部照射 ,  キャリア密度 ,  紫外線 ,  *酸化物 ,  紫外線照射 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 初期状態 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  酸素空格子点 ,  電界効果移動度 ,  サブ閾値スイング ,  ターンオン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： オキシド ,  薄膜トランジスタ ,  不安定性