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J-GLOBAL ID：201602260870667705   整理番号：16A0726650

III族窒化物に基づく大面積フレキシブルデバイス【Powered by NICT】

Large area flexible devices based on group-III nitrides

著者 (4件)： Fujioka Hiroshi (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Japan) ,  Ueno Kohei (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Atsushi (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Japan) ,  Ohta Jitsuo (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PSDと呼ばれる新しく開発された低温エピタキシャル成長法を用いて種々の窒化物をベースにした素子を作製し,金属箔,マイカシート,ガラスのような大面積低コスト基板上に窒化物デバイスの作製のためのその適用性を確認した。従来単結晶ウエハを用いて,著者らは,最初に,LED,HEMT,MISFET,および太陽電池などの各種デバイスの大成功の作製と動作を確認した。低成長温度が長波長LEDと太陽電池のための高In濃度InGaN膜の調製に非常に有利であることが分かった。低成長温度も窒化膜と化学的に脆弱な基板の間の重大な界面反応を起こさずに低コスト大面積基板上にRGB LEDのような窒化物デバイスを作製することを可能にする。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  低温 ,  *窒化物 ,  MISFET ,  インジウム ,  適応性 ,  太陽電池 ,  金属箔 ,  単結晶 ,  界面反応 ,  成長温度 ,  ローコスト ,  *大面積 ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： InGaN ,  *フレキシブルデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 音声処理  (JE05000E) ,  データ保護  (JD01020V) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  二次電池  (YB04030K) ,  音響信号処理  (BB03050C) ,  研究開発  (AA03000V) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  人工知能  (JE08000Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： III族 ,  窒化物 ,  大面積 ,  フレキシブルデバイス