研究者
J-GLOBAL ID:200901032195456183   更新日: 2024年11月20日

小林 篤

コバヤシ アツシ | Kobayashi Atsushi
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): https://www.rs.tus.ac.jp/akobayashi/
研究分野 (8件): ナノ構造化学 ,  機能物性化学 ,  グリーンサステイナブルケミストリー、環境化学 ,  無機材料、物性 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (12件): 太陽電池 ,  電界効果トランジスタ ,  パルスレーザ堆積法 ,  量子デバイス ,  スパッタリング ,  超伝導体 ,  発光素子 ,  界面 ,  物性評価 ,  結晶成長 ,  酸化物半導体 ,  窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2023 - 2027 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
  • 2023 - 2025 泉科学技術振興財団 2023年度研究助成
  • 2024 - 2025 第50回(2023年度)岩谷科学技術研究助成
  • 2023 - 2024 日本産業科学研究所 令和5年度研究助成
  • 2021 - 2024 窒化物半導体・超伝導体融合素子作製のための基盤技術構築
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論文 (114件):
  • Takuya Maeda, Yusuke Wakamoto, Shota Kaneki, Hajime Fujikura, Atsushi Kobayashi. Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1-xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method. Applied Physics Letters. 2024. 125. 2
  • Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Temperature-Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n-Type GaN Regrown Ohmic Contacts. physica status solidi (a). 2024
  • Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Hole Conduction Mechanism in In-Mg-Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2024
  • Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka. Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering. Applied Physics Express. 2024
  • Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka. Preparation of degenerate n-type Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-</sub><sub><i>x</i></sub>N (0 < <i>x</i> ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition. Applied Physics Letters. 2023. 122. 23
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MISC (9件):
特許 (1件):
  • InGaAlN系半導体素子
講演・口頭発表等 (316件):
  • サファイア基板上エピタキシャルNbN(111)薄膜を用いた超伝導単一光子検出器
    (超伝導エレクトロニクス研究会 2024)
  • Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application
    (BCICTS 2024 2024)
  • スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における2DEG輸送特性の温度依存性
    (第43回電子材料シンポジウム (EMS-43) 2024)
  • エピタキシャルScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の作製
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors
    (E-MRS 2024 Fall Meeting 2024)
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学歴 (4件):
  • 2005 - 2007 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 博士課程
  • 2003 - 2005 東京大学大学院 工学系研究科 応用化学専攻 修士課程
  • 2001 - 2003 東京大学 工学部 応用化学科
  • 1999 - 2001 東京大学 教養学部 理科一類
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (6件):
  • 2023/04 - 現在 東京理科大学 先進工学部 マテリアル創成工学科 准教授
  • 2018/04 - 2023/03 東京大学 生産技術研究所 特任准教授
  • 2011/04 - 2018/03 東京大学 生産技術研究所 特任助教
  • 2008/04 - 2011/03 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2007/10 - 2008/03 財団法人神奈川科学技術アカデミー 研究員
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委員歴 (12件):
  • 2023/04 - 現在 International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications Program Committee
  • 2023/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 企画委員
  • 2019/09 - 現在 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) Steering Committee
  • 2019/07 - 現在 応用物理学会 プログラム編集委員
  • 2018/07 - 現在 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事
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受賞 (5件):
  • 2016/08 - 日本結晶成長学会 第23回技術賞 非晶質基板上への窒化物半導体LED作製技術の開発
  • 2014/07 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
  • 2010/07 - 第29回 電子材料シンポジウム EMS賞
  • 2009/03 - 第25回(2008年秋季)応用物理学会講演奨励賞
  • 2006/11 - 第36回結晶成長国内会議講演奨励賞
所属学会 (2件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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