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J-GLOBAL ID：201602262926295839   整理番号：16A1383260

0.13μm SiGe BiCMOS技術によるDバンドRF-MEMS SPDTスイッチ【Powered by NICT】

D-Band RF-MEMS SPDT Switch in a $0.13¥mu$ m SiGe BiCMOS Technology

著者 (6件)： Tolunay Wipf Selin (IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany) ,  Goritz Alexander (IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany) ,  Wietstruck Matthias (IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany) ,  Wipf Christian (IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany) ,  Tillack Bernd (IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany) ,  Kaynak Mehmet (IHP Microelectronics GmbH, Frankfurt, Germany)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 26  号： 12  ページ： 1002-1004  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は0.13~μm SiGe BiCMOS技術で製作したDバンド(110-170 GHz)RF-MEMSに基づく単一極二重スロー(SPDT)スイッチを提案した。RF MEMSベースSPDTスイッチのオンウエハSパラメータ測定を140GHzで技術RF性能,1.42dBの挿入損失と54.5dBのアイソレーションの状態を越えて示した。SPDTスイッチは二単極単投(SPST)RF MEMSスイッチに接続されたティー接合から構成されている。RF MEMSスイッチは60V駆動電圧を用いて駆動され, とスイッチ10 μs以下スイッチを提供する沖倍であった。著者らの知識の及ぶ限りでは,本研究で得られた結果は,最も低い挿入損とD-バンドで報告されたSPDT(単極双投)の最高の分離した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 挿入損 ,  *スイッチ ,  *MEMS ,  ティー
準シソーラス用語： 駆動電圧 ,  Sパラメータ ,  *SPDTスイッチ ,  *SPDT ,  *RF MEMS ,  *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  BiCMOS ,  Dバンド ,  RF ,  MEMS ,  SPDTスイッチ