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J-GLOBAL ID：201602263655488161   整理番号：16A0726610

中間バンド太陽電池のための固体源分子ビームエピタクシーによるInGaPマトリックスにおけるII型InP量子ドットの成長【Powered by NICT】

Growth of Type-II InP quantum dots in InGaP matrix by using solid-source molecular beam epitaxy for intermediate-band solar cells

著者 (2件)： Sugaya Takeyoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Tayagaki Takeshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体源分子ビームエピタクシー(SS-MBE)を用いて成長させたInGaPマトリックス中のII型InP量子ドット(QD)を実証した。QDサイズが大きくなるとInPQDの成長速度が減少すると光ルミネセンスピーク波長長かった。大型第2種InP QDは0.006単分子層(ML)/sの超低成長速度で成長させることができた0.006ML/sで成長させたInP QDは約40nsの長いキャリア寿命を持っている。この結果はII型InP/InGaP量子ドットを初めて固体源MBEを用いて作製したことを示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 成長速度 ,  キャリア寿命 ,  光ルミネセンス ,  *太陽電池 ,  *リン化インジウム ,  波長 ,  *量子ドット ,  単分子層 ,  *MBE成長
準シソーラス用語： *InGaP ,  *中間バンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 音声処理  (JE05000E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  信号理論  (ND02020G) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 中間バンド太陽電池 ,  固体 ,  分子ビームエピタクシー ,  InGaP ,  マトリックス ,  InP ,  量子ドット ,  成長