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J-GLOBAL ID：201602263832746859   整理番号：16A1327553

Cr₂O₃(0001)薄膜による垂直交換バイアス及び磁気電気制御

Perpendicular Exchange Bias and Magneto-Electric Control Using Cr₂O₃(0001) Thin Film

著者 (2件)： Shiratsuchi Yu (Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Nakatani Ryoichi (Graduate School of Engineering, Osaka University)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 57  号： 6  ページ： 781-788(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反強磁性体は漂遊磁場も自発磁化も発生しない。しかし強磁性と結合すると固有の有益な特性を示す。交換バイアスは,スピンバルブ膜のようなスピントロニクスデバイスで利用される有益な特性の内の一つである。現在まで交換バイアスはデバイス中に静的効果を誘導するために使用されてきたが,交換バイアスはこれらのデバイス中ではスイッチャブルではなかった。最近,反磁性層中で磁気電気効果を示すCr₂O₃を使用したスイッチャブル交換バイアスが開発された。この効果には以下の特長がある。1)交換バイアスの強度が高く方向が膜に垂直である,2)スイッチングが電場により起こる。この概説では高い垂直交換バイアス固有の温度依存性及び誘導垂直交換バイアスの磁気電気スイッチングについて要点を解説した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁性薄膜 ,  *磁気電気効果 ,  *酸化クロム ,  *バイアス ,  垂直型 ,  *反強磁性体 ,  スピントロニクス ,  素子構造 ,  *スイッチング ,  技術展望 ,  スピンバルブ
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  *交換バイアス

著者キーワード (5件)： perpendicular exchange bias ,  Cr₂O₃ thin film ,  magnetoelectric effect ,  antiferromagnet ,  interfaces

分類 (4件)： 磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  磁性材料  (NA04040H)

引用文献 (56件)：

• 1) L. Berger: Phys. Rev. B 54 (1996) 9353-9358. 10.1103/PhysRevB.54.9353
• 2) J.C. Slonczewski: J. Magn. Magn. Mater. 159 (1996) L1-L7. 10.1016/0304-8853(96)00062-5
• 3) B. Dieny, V.S. Speriousu, S.S.P. Parkin, B.A. Gurney, D.R. Wilhoit and D. Mauri: Phys. Rev. B 43 (1991) 1297-1300. 10.1103/PhysRevB.43.1297
• 4) D.N. Astrov: Sov. Phys. JETP 11 (1960) 708-709.
• 5) V.J. Folen, G.T. Rado and E.W. Staldar: Phys. Rev. Lett. 6 (1961) 607-608. 10.1103/PhysRevLett.6.607

タイトルに関連する用語 (5件)： Cr2O3 ,  薄膜 ,  交換バイアス ,  磁気 ,  電気制御