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J-GLOBAL ID：201602264265387552   整理番号：16A1007295

I型Na-Si包接化合物に関するNa-Snフラックスの使用による単結晶成長

Single crystal growth of type I Na-Si clathrate by using Na-Sn flux

著者 (3件)： Morito Haruhiko (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Shimoda Masashi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Yamane Hisanori (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 450  ページ： 164-167  発行年： 2016年09月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： I型Na-Si包接化合物Na₈Si₄₆の単結晶を,Na,Na₄Si₄およびNa₁₅Sn₄について,Arガス圧力10⁴Pa下で,723Kで12hの加熱によって合成した。原料組成モル比,Na/Si/Sn=5.75:2:1を有するNa-Si-Sn融液からのNa蒸発によって,{110}晶癖面を有する単結晶を,1.5mmのサイズにまで成長させた。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 単結晶 ,  *包接化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *ナトリウム化合物 ,  *融液成長 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  光学顕微鏡 ,  光学顕微鏡法 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  晶癖 ,  フラックス法

著者キーワード (6件)： A2. Single crystal growth ,  A2. Growth from solutions ,  A2. Tin flux growth ,  B1. Inorganic compounds ,  B1. Silicon compounds ,  B1. Clathrate compound

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Na ,  Si ,  包接化合物 ,  Sn ,  フラックス ,  単結晶成長