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J-GLOBAL ID：201602266974667405   整理番号：16A1108437

10nmテクノロジーノード以降のパターンマッチングによる自己整合型ダブルパターニング(SADP)対応レイアウト設計の最適化

Optimization of Self-Aligned Double Patterning (SADP)-compliant layout designs using pattern matching for 10nm technology nodes and beyond

著者 (6件)： WANG Lynn T.-N. (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA) ,  SCHROEDER Uwe Paul (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA) ,  WOO Youngtag (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA) ,  ZENG Jia (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA) ,  MADHAVAN Sriram (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA) ,  CAPODIECI Luigi (GLOBALFOUNDRIES, CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9781  ページ： 97810B.1-97810B.9  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己整合型ダブルパターニング(SADP)に準拠した,レイアウト設計を最適化するためのパターンベースの方法論は,カットに誘発されたホットスポットパターンを検出し,それらを事前に特徴付けされた固定ソリューションに置き換えるために開発された。SADPプロセスの利点を活用するためには,配線された金属層上の金属線の挟み込みおよび線端のブリッジを避けるため,典型的な一方向性の設計スタイルを超えて,パターンの規則性を増加させる必要があり,製造が困難な自由形状の2Dカットフィーチャを避けるためには,さらなる変更が必要であった。本稿では,SADPのラインカット分解を,配線された金属層の品質を定量化するためのDFMメトリックの標準セットに基づいて抽出したレイアウト設計と分解後のレイアウト設計とを比較することによって検査し,パターンベースのDFM方法論を,ラインカット分解課題,すなわち高密度カット特徴相互作用によって生じるライン端部およびリソグラフィーホットスポットの分解能に対処するために提案した。提案したパターンベースのレイアウト最適化方法論は,M2層上に200×200μm²のテストケースレイアウトを用いて実証した。2つの線端パターンの小さなライブラリは,カットに誘導されたDRC違反の数を100%改善した。12個の密集パターンのライブラリは,リソグラフィーホットスポットの数を23%削減した。

シソーラス用語： *パターンマッチング ,  *自己整合 ,  *回路パターン形成 ,  配置設計 ,  回路設計 ,  リソグラフィー ,  ホットスポット
準シソーラス用語： DFM ,  *ダブルパターニング ,  レイアウト設計

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： テクノロジー ,  ノード ,  パターンマッチング ,  自己整合 ,  ダブルパターニング ,  レイアウト設計 ,  最適化