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J-GLOBAL ID：201602267072166055   整理番号：16A0918478

アパタイト型構造を持つ方向化ケイ酸ランタン膜の作成とイオン伝導度

Fabrication and ionic conductivity of oriented lanthanum silicate films with apatite-type structure

著者 (3件)： Sakao Mitsumasa (Hyogo Prefectural Institute of Technology, 3-1-12 Yukihiracho, Suma-ku, Kobe, Hyogo 654-0037, Japan) ,  Ishihara Tsuguo (Hyogo Prefectural Institute of Technology, 3-1-12 Yukihiracho, Suma-ku, Kobe, Hyogo 654-0037, Japan) ,  Yoshioka Hideki (Hyogo Prefectural Institute of Technology, 3-1-12 Yukihiracho, Suma-ku, Kobe, Hyogo 654-0037, Japan)
資料名： Solid State Ionics  (Solid State Ionics)
巻： 293  ページ： 51-55  発行年： 2016年10月01日 
JST資料番号： B0096B  ISSN： 0167-2738  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリング技法を用いてアパタイト型のケイ酸ランタン(LSO)のc軸方向化膜を作成した。室温の純Ar雰囲気中においてRFマグネトロンスパッタリングによりYSZ又はLaドープSrTiO₃(STO)単結晶基板上に2種類の薄膜,La₂SiO₅及びLa₂Si₂O₇を析出させた。これら薄膜を空気中,1100°Cでアニーリングし,結晶生成を促進した。得られた試料の表面層はc軸方向化アパタイト型LSOであることを面内及び面外XRDパターンから確認した。STO基板を用いたLSO試料のイオン伝導度の活性化エネルギーは0.74eVであり,600°Cにおける伝導度が2×10^-5Scm^-1と低いにも拘らず多結晶La_9.33Si₆O₂₆の値と合致する。ラミネート薄膜法を用い,バルク拡散合成法よりも短時間低温でc軸方向化アパタイト型LSOの作成を遂行し,La₂SiO₅とLa₂Si₂O₇の間の組成の結晶を得ることができた。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  結晶 ,  *導体 ,  イオン伝導 ,  固体電解質 ,  活性化エネルギー ,  指向性
準シソーラス用語： アパタイト型結晶 ,  *酸化物イオン伝導体 ,  異方導電性膜 ,  方向性

著者キーワード (4件)： Keyword Lanthanum silicate ,  Apatite-type structure ,  Oxide ion conduction ,  Solid electrolyte

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： アパタイト ,  ケイ酸ランタン ,  イオン伝導度