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J-GLOBAL ID：201602268792029198   整理番号：16A1367015

化合物半導体電子デバイスの最近の進歩

Recent progress in compound semiconductor electron devices

著者 (1件)： Miyamoto Yasuyuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 13  号： 18  ページ： 20162002(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体電子デバイスは,Siよりも高い移動度を持つので高速動作を提供する能力がある。現在,化合物半導体デバイスは,無線通信デバイスまたは衛星テレビのような民生用電子機器の部品として一般的である。ワイドバンドギャップ化合物半導体の導入により,携帯電話システムの基地局および真空管の代替品としての化合物半導体デバイスの使用が増加した。最近では,InGaAs MOSFETの研究は,シリコンの代替としての可能性の実現に向けられている。このレビューでは,民生用エレクトロニクスにおける化合物半導体デバイスの現在の商業化,そしてInGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタを使用する529GHz動的周波数分割器などの最新の状況,InGaAs高電子移動度トランジスタ(HEMT)が提供する1THz増幅,及び96GHzのGaN HEMTが提供する3Wmm^-1の電力,を説明した。論理回路の構成要素の次の候補であるInGaAs MOSFETについても説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *固体素子 ,  *移動度 ,  バンドギャップ ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  MOSFET ,  HBT【トランジスタ】 ,  HEMT ,  ワイドバンドギャップ ,  *高移動度 ,  *電子素子
準シソーラス用語： InGaAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  *電子デバイス

著者キーワード (4件)： compound semiconductor ,  HBT ,  HEMT ,  MOSFET

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (57件)：

• [1] N. Hirose and M. Fukuda, “Numerical Wind Tunnel (NWT) and CFD research at National Aerospace Laboratory,” HPC Asia ’97 (DOI: 10.1109/HPC.1997.592130).
• [2] T. Mimura: “Development of high electron mobility transistor,” Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 8263 (DOI: 10.1143/JJAP.44.8263).
• [3] M. Fresina: “Trends in GaAs HBTs for wireless and RF,” BTCM (2011) 150 (DOI: 10.1109/BCTM.2011.6082769).
• [4] H. Kroemer: “Heterostructure bipolar transistors and integrated circuits,” Proc. IEEE 70 (1982) 13 (DOI: 10.1109/PROC.1982.12226).
• [5] Y. Kusakariet al.: “Development of high efficiency RF power MOSFET for GSM cellular phone system,” Trans. IEICE E85-C (2002) 1436.

タイトルに関連する用語 (2件)： 化合物半導体 ,  電子デバイス