SHEN Chenyi について
Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN について
SI Bingqi について
Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN について
CAO Chao について
Dep. of Physics, Hangzhou Normal Univ., Hangzhou 310036, CHN について
YANG Xiaojun について
Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN について
BAO Jinke について
Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN について
TAO Qian について
Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN について
LI Yuke について
Dep. of Physics, Hangzhou Normal Univ., Hangzhou 310036, CHN について
CAO Guanghan について
Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN について
XU Zhu-an について
Dep. of Physics and State Key Lab. of Silicon Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN について
Journal of Applied Physics について
リン について
ドーピング について
相転移 について
状態図 について
転移温度 について
臨界磁場 について
バンド構造 について
熱起電力 について
電子構造 について
X線回折 について
ランタン化合物 について
鉄化合物 について
ヒ素化合物 について
酸化物 について
鉄系超伝導体 について
Lifshitz転移 について
バンド計算 について
四端子法 について
上部臨界磁場 について
超伝導ドーム について
超伝導転移温度 について
熱電力 について
金属系超伝導体の物性 について
Lifshitz転移 について
超伝導ドーム について