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J-GLOBAL ID：201602272194851774   整理番号：16A1374410

キャリア捕獲の影響を含む超小型モデルによる高電圧SiC-MOSFET回路の電力損失予測

Power-Loss Prediction of High-Voltage SiC-mosfet Circuits With Compact Model Including Carrier-Trap Influences

著者 (7件)： Tanimoto Yuta (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Saito Atsushi (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Matsuura Kai (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Kikuchihara Hideyuki (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Mattausch Hans Jurgen (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Miura-Mattausch Mitiko (Grad. Sch. of Adv. Sci. of Matter, Hiroshima Univ., Hiroshima, Japan) ,  Kawamoto Noriaki (Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 31  号： 6  ページ： 4509-4516  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFETの電気的特性に関するキャリア捕獲の影響と,SiCパワーMOSFETベースの回路のシミュレーションにおけるその包有物を明確にすることを目的とした。SiC/SiO2界面欠陥におけるキャリア捕獲によるスイッチング特性の劣化に特別に焦点を当てた。完全な表面電位記述の枠組みにおける捕獲密度を考慮した超小型SiCパワーMOSFETモデルを,電力損失予測を含む正確な回路シミュレーションのために開発した。キャリア捕獲がスイッチング遅延を発生させることを検証したが,それはスイッチング損失を増加させた。低電力損失を実現するために,捕獲密度の低減が重要であることを示した。スイッチング損失の影響を受けない最大許容捕獲密度について検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *キャリア捕獲 ,  高電圧 ,  *MOSFET ,  *電気損失 ,  炭化ケイ素 ,  欠陥 ,  密度 ,  スイッチング損失 ,  表面電位 ,  トラップ密度
準シソーラス用語： *電力損失 ,  界面欠陥 ,  捕獲密度

著者キーワード (6件)： trap density ,  Interface defects ,  mosfet ,  silicon carbide ,  switching characteristics ,  switching loss

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： キャリア捕獲 ,  モデル ,  高電圧 ,  SiC ,  MOSFET回路 ,  電力損失 ,  予測