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J-GLOBAL ID：201602272218540682   整理番号：13A0523790

Effect of N_2O Plasma Treatment on The SiNx-based InGaZnO Thin Film Transistors

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著者 (7件)：
Li Jun

Li Jun について

(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC ...)

School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC ... について

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Zhou Fan

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(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Shanghai)

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Lin Huaping

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(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Shanghai)

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Zhang Hao

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(Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC,Shanghai Univ., Shanghai)

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Zhang Jianhua

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(Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC,Shanghai Univ., Shanghai)

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Jiang Xueyin

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(School of Materials Sci. and Engineering,Shanghai Univ., Shanghai)

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Zhang Zhilin

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(Key Lab. of Advanced Display and System Application,EMC,Shanghai Univ., Shanghai)

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資料名：
Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)

Faguang Xuebao について


巻： 33  号： 4  ページ： 400-403  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

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