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J-GLOBAL ID：201602272926030863   整理番号：16A0751629

二重ゲートSi NW FETセンサ:低周波数ノイズと光電性質

Double-gated Si NW FET sensors: Low-frequency noise and photoelectric properties

著者 (6件)： Gasparyan F. (Yerevan State University, 1 Alex Manoogian St., 0025 Yerevan, Armenia) ,  Khondkaryan H. (Yerevan State University, 1 Alex Manoogian St., 0025 Yerevan, Armenia) ,  Arakelyan A. (Yerevan State University, 1 Alex Manoogian St., 0025 Yerevan, Armenia) ,  Zadorozhnyi I. (Forschungszentrum Juelich, Peter Gruenberg Institute (PGI-8), 52425 Juelich, Germany) ,  Pud S. (Forschungszentrum Juelich, Peter Gruenberg Institute (PGI-8), 52425 Juelich, Germany) ,  Vitusevich S. (Forschungszentrum Juelich, Peter Gruenberg Institute (PGI-8), 52425 Juelich, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 120  号： 6  ページ： 064902-064902-8  発行年： 2016年08月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  配列 ,  *フォトトランジスタ ,  *感度 ,  *雑音 ,  *光電流 ,  ゲート【半導体】 ,  *pHセンサ ,  *バイオセンサ ,  SOI構造
準シソーラス用語： 二重ゲート

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二重ゲート ,  Si ,  FET ,  低周波数 ,  ノイズ ,  光電 ,  性質