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J-GLOBAL ID：201602273397253824   整理番号：16A0419212

高性能のテラヘルツボロメータ用のエピタキシャルグラフェン量子ドット

Epitaxial graphene quantum dots for high-performance terahertz bolometers

著者 (6件)： EL FATIMY Abdel (Georgetown Univ., Washington, USA) ,  MYERS-WARD Rachael L. (US Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  BOYD Anthony K. (US Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  DANIELS Kevin M. (US Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  GASKILL D. Kurt (US Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  BARBARA Paola (Georgetown Univ., Washington, USA)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 11  号： 4  ページ： 335-338  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子閉込めが原因となって,SiC上のエピタキシャルグラフェンの量子ドットは温度による抵抗変化が極めて大きく(6K以下で430MΩK^-1より大きい),その結果,1×10¹⁰VW^-1の応答率が生じることを示した。この値は他の種類のグラフェン・ホットエレクトロンボロメータより5桁高い。極めて低い電気雑音等価電力(2.5Kで~2×10^-16WHz^-1/2)と組合せた高い応答率は著者らのボロメータが市販されている冷却ボロメータを超える。これら量子ドットボロメータは77Kと高い温度でも良好な性能を見せることを示した。

シソーラス用語： *量子ドット ,  量子閉込め ,  *ホットエレクトロン ,  *ボロメータ ,  電力 ,  テラヘルツ波 ,  電子ビームリソグラフィー
準シソーラス用語： 雑音等価電力

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  エピタキシャルグラフェン ,  量子ドット