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J-GLOBAL ID：201602274092306053   整理番号：16A0337178

半導体CVD成長に及ぼす分子吸収スペクトルの応用【Powered by NICT】

Applications of molecular absorption spectrum on semiconductor CVD growth

著者 (5件)： Wang Wenhu (School of Energy and Power Engineering,Jiangsu Univ., Jiangsu, Zhenjiang) ,  Zuo Ran (School of Energy and Power Engineering,Jiangsu Univ., Jiangsu, Zhenjiang) ,  Liu Peng (Wide Bandgap Semiconductor Res. Center,School of Physics,Peking Univ., Beijing) ,  Tong Yuzhen (Wide Bandgap Semiconductor Res. Center,School of Physics,Peking Univ., Beijing) ,  Zhang Guoyi (Wide Bandgap Semiconductor Res. Center,School of Physics,Peking Univ., Beijing)
資料名： Huagong Jinzhan  (Huagong Jinzhan)
巻： 34  号： 11  ページ： 29-29  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2014A  ISSN： 1000-6613  CODEN： HUJIEK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 化合物半導体薄膜プロセスの化学蒸着(CVD)で,ガス濃度の測定は,反応機構の理解に重要である。紫外可視吸収スペクトル(UVAS)および赤外スペクトル(IR)は,ガス濃度を測定するための主要な方法であると,ガス濃度のforin場測定を用いた。UVASのCVD測定システムとIII群Vガスの濃度測定へのその応用を紹介,金属有機材料などの吸収特性と異なる温度と圧力でのInNとGaNの成長過程の機構に対するUVASの応用を含めて述べる。最後に,IRスペクトルの応用を紹介し,種々の条件下でのTMGとNH_3の間の気相反応の解析,SiC薄膜組成の分析,及びGaNの成長過程の気相反応速度の決定を含む。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  薄膜 ,  計測システム ,  化合物半導体 ,  成長段階 ,  濃度測定 ,  気相反応 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *半導体 ,  有機材料 ,  化学蒸着 ,  炭化ケイ素 ,  赤外スペクトル ,  *吸収スペクトル
準シソーラス用語： ガス濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  成長 ,  分子 ,  吸収スペクトル ,  応用