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J-GLOBAL ID：201602275690296503   整理番号：16A0977937

接合改善と縮尺EOTを有する高Ge含有SiGe PMOS FinFETにおける記録SiGe相互コンダクタンスと短チャネル電流駆動の実証【Powered by NICT】

Demonstration of record SiGe transconductance and short-channel current drive in High-Ge-Content SiGe PMOS FinFETs with improved junction and scaled EOT

著者 (11件)： Hashemi Pouya (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Kam-Leung Lee (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Ando Takashi (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Balakrishnan Karthik (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Ott John A. (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Koswatta Syuranga (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Engelmann Sebastian U. (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Dae-Gyu Park (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Narayanan Vijay (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Mo Renee T. (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Leobandung Effendi (IBM Research, Thomas J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd., Yorktown Heights, NY 10598, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 縮尺EOTと接合を改善した高性能(HP)高Ge含有量(HGC)SiGe pMOS FinFETを実証した。初めて,~7ÅまでSiGe FinFET EOTスケーリングを達成した。添加では,接合改善と直列抵抗は250と200ΩまでHGC SiGe,スペーサ厚さと界面層と同様に高温イオン注入(I/I)の適切な選択により,有意なR_on還元をもたらした。μmであった。V_DD=0.5Vで固定HP I_off=100nA/μmでg_m,LIN=V_DD=1.0/0.5Vで0.5mS/μmとg_m,SAT=2.7/2.5mS/μm,最高HGC SiGe I_on=0.45mA/μmで今まで報告された最高の「SiGe外因性g_m」とサブ35nm L_Gで今まで報告された最高pMOS FinFET性能を報告した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相互コンダクタンス ,  スペーサ ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 界面層 ,  直列抵抗 ,  電流駆動 ,  短チャネル ,  *FinFET ,  *PMOS構造 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  信号理論  (ND02020G) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 縮尺 ,  EOT ,  Ge ,  SiGe ,  PMOS ,  FinFET ,  相互コンダクタンス ,  短チャネル ,  電流駆動 ,  実証