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J-GLOBAL ID：201602277272928780   整理番号：16A0881089

Al/Al_2O_3/InGaAs MOSキャパシタ特性へのIn(0.53)Ga(0.47)As表面の窒化と硫黄不動態化の効果【Powered by NICT】

The effect of nitridation and sulfur passivation for In_(0.53)Ga_(0.47)As surfaces on their Al/Al_2O_3/InGaAs MOS capacitors properties

著者 (8件)： Lin Zizeng (Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology) ,  Cao Mingmin (Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology) ,  Wang Shengkai (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Qi (Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology) ,  Xiao Gongli (Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology) ,  Gao Xi (Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology) ,  Liu Honggang (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Haiou (Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 2  ページ： 026002-1-026002-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/Al_2O_3/InGaAs MOSキャパシタ特性へのIn(0.53)Ga(0.47)As表面の窒化と硫黄不動態化の影響を周波数分散及びヒステリシスの特性を比較して,D-()とΔN(bt)値を計算し,界面トラップと漏れ電流を解析して調べた。その結果,両方法は,InGaAs表面上のパシベーション層を形成することを示した。N_2プラズマで処理した試料は蓄積領域における最小周波数分散と良好な界面特性を得ることができ,最良のヒステリシス特性と良好なI-V特性を示した。(NH_4)2S_x処理した試料はフラットバンド領域近傍の最小周波数分散と最小D-()値は2.6×10(11)cm(-2)eV(-1)を示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *窒化 ,  ヒステリシス ,  プラズマ ,  *硫黄 ,  *不動態化 ,  漏れ電流 ,  *コンデンサ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *MOSコンデンサ ,  フラットバンド ,  界面特性 ,  界面トラップ ,  周波数分散 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： N_2プラズマ ,  (NH_4)_2S_x治療 ,  界面特性 ,  MOSキャパシタ

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  InGaAs ,  MOSキャパシタ ,  Ga ,  窒化 ,  硫黄 ,  不動態化