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J-GLOBAL ID：201602277323834917   整理番号：16A0650735

ほう素組成によるCoFeB-MgO垂直異方性磁気トンネル接合の熱耐性の改善【Powered by NICT】

Improvement of Thermal Tolerance of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions by Controlling Boron Composition

著者 (16件)： Honjo H. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ikeda S. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sato H. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sato S. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Watanabe T. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Miura S. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Nasuno T. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Noguchi Y. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Yasuhira M. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Tanigawa T. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Koike H. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Muraguchi M. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Niwa M. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ito K. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ohno H. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Endoh T. (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 52  号： 7  ページ： ROMBUNNO.3401104.1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々なホウ素組成の単一(CoFe)_100-XB_X/MgO界面(s-MTJ)と二重CoFeB-MgO界面(d-MTJ)構造を持つ垂直異方性(CoFe)_100-XB_X/MgO磁気トンネル接合(MTJ)のトンネル磁気抵抗(TMR)比と磁気的性質の焼なまし温度T_adependenceを検討した。100%以上の高TMR比は360°C-400°Cでのアニーリング後にX=35at.%S MTJで観察されたが,X=30at.%S MTJはT_aabove360°Cの増加とともにTMR比の劣化を示し,垂直異方性の減少に起因する。X=25at.%をもつD MTJはMTJと比較してその高い垂直異方性にT_a=400 °Cowingまでの高いTMR比を維持した。s MTJとD MTJ間の垂直異方性の差はMTJの低い飽和磁化とより高い界面異方性に起因すると考えられる。低い飽和磁化はCoFeB層からのほう素拡散を抑制する二MgO層に起因し,それは電子エネルギー損失分光法を用いた横断線解析により検証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  焼なまし ,  *異方性 ,  飽和磁化 ,  磁気的性質 ,  *ホウ素 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  *耐熱性 ,  *酸化マグネシウム ,  焼きなまし温度 ,  *磁気トンネル接合
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ほう素 ,  組成 ,  MgO ,  垂直 ,  異方性 ,  磁気トンネル接合 ,  熱耐性