Tabares Gema について
, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France について
Mhedhbi Sarra について
Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France について
Lesecq Marie について
Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France について
Damilano Benjamin について
, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France について
Brault Julien について
, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France について
Chenot Sebastien について
, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France について
Ebongue Abel について
, 3M France, Beauchamp, France について
Altuntas Philippe について
Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France について
Defrance Nicolas について
Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France について
Hoel Virginie について
Microwave Power Devices Group, Institut d’Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Villeneuve d’Ascq, France について
Cordier Yvon について
, Centre de Recherche sur l’Hetero-Epitaxie et ses Applications and the Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, France について
IEEE Photonics Technology Letters について
バイアス について
電流密度 について
引張応力 について
エレクトロルミネセンス について
電流 について
窒化ガリウム について
赤方偏移 について
凸形 について
発光ダイオード について
機械的変形 について
引張歪 について
印加電圧 について
曲率半径 について
粘着性 について
InGaN について
発光素子 について
InGaN について
GaN について
発光ダイオード について
エレクトロルミネセンス について
曲げ について