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J-GLOBAL ID:201602278137504054   整理番号:16A0600178

パルス磁場磁化過程における選択的磁場侵入HTSバルク磁石を【Powered by NICT】

Selective Magnetic Field Invasion Into HTS Bulk Magnets in Pulse Field Magnetizing Processes
著者 (8件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: ROMBUNNO.6800504.1-4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0177A  ISSN: 1051-8223  CODEN: ITASE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Dy123ベースH TSバルク磁石への磁束侵入をパルス磁場磁化過程で実験的に評価した。試料への磁束の侵入はJC分布によって影響されることが期待されるので,30Kで5Tのパルス磁界適用時の磁束密度と温度の変化を測定することにより成長セクター境界(GSB)間の磁束運動と成長セクタ領域(GSR)の差を推定した。温度測定に関する実験結果は,磁束はGRB領域のそれに先立ってGSR中の経路を通って試料に侵入することを示した。さらに,磁束の変化速度は,GSRの位置と徐々に変化し,一方,それらは不規則に変化し,GSBに傾向を示さなかった。これは磁束が直線的に中心部に向かっGSRから試料に侵入することを意味し,一方,GRBに均一に流れない。その結果,熱発生がGSB領域に先立ってGSR地域で起こる。磁束侵入挙動は選択的および不均一運動を示し,GSRとGSBのマクロ構造の違いを反映している。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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Josephson接合・素子  ,  超伝導材料  ,  酸化物系超伝導体の物性 

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