文献

J-GLOBAL ID：201602281108862619   整理番号：16A1286145

高融点金属接触を用いたN_2環境下でのInGaP太陽電池の高温(450°C)動作【Powered by NICT】

High-temperature (450°C) operation of InGaP solar cell under N₂ ambient using refractory metal contacts

著者 (18件)： Elarde V. C. (MicroLink Devices, Niles, IL 60076, United States) ,  Cardwell D. (MicroLink Devices, Niles, IL 60076, United States) ,  Hillier G. (MicroLink Devices, Niles, IL 60076, United States) ,  Wibowo A. (MicroLink Devices, Niles, IL 60076, United States) ,  Hoheisel R. (George Washington University, Washington, D.C. 20052, United States) ,  Gonzalez M. (George Washington University, Washington, D.C. 20052, United States) ,  Lumb M. (George Washington University, Washington, D.C. 20052, United States) ,  Tomasulo S. (NRC Postdoc residing at the U.S. Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375, United States) ,  Kotulak N. (NRC Postdoc residing at the U.S. Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375, United States) ,  Scheiman D. (NRC Postdoc residing at the U.S. Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375, United States) ,  Maximenko S. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375, United States) ,  Jenkins P. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375, United States) ,  Walters R. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, D.C. 20375, United States) ,  Heemstra D. (University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, United States) ,  Fay P. (University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, United States) ,  Wanlass M. (Wanlass Consulting, Norwood, CO 81423, United States) ,  Osowski M. (MicroLink Devices, Niles, IL 60076, United States) ,  Pan N. (MicroLink Devices, Niles, IL 60076, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 2337-2340  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N_2雰囲気下で450°Cで動作可能なInGaP太陽電池構造を開発した。この構造は室温性能を劣化させずに,70h以上焼鈍した。このタイプの構造は,全体的変換効率を最大化するための光起電力と集熱システムを組み合わせたハイブリッド太陽エネルギープラントに適用される。は,この素子が組み込まれた光学的および電気的高温半導体パラメータを用いたシミュレーションに基づいた400°Cおよび500X濃度で17%までの効率を達成することができるであろうことを予測した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  エネルギープラント ,  *太陽電池 ,  半導体 ,  光起電力 ,  *高温 ,  *太陽 ,  *高融点金属
準シソーラス用語： 変換効率 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高融点金属 ,  環境 ,  InGaP ,  太陽電池