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J-GLOBAL ID：201602281385700252   整理番号：16A1108344

配位ラインエピタキシー(COOL)プロセスを用いたDSAパターンの検証のための先進的なCD-SEM計測

Advanced CD-SEM metrology for qualification of DSA patterns using coordinated line epitaxy (COOL) process

著者 (8件)： KATO Takeshi (Hitachi High-Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  KONISHI Junko (Hitachi High-Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  IKOTA Masami (Hitachi High-Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMAGUCHI Satoru (Hitachi High-Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  SEINO Yuriko (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  SATO Hironobu (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  KASAHARA Yusuke (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN) ,  AZUMA Tsukasa (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Ibaraki, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9778  号： Pt.1  ページ： 977816.1-977816.9  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代半導体デバイス製造用の有望なリソグラフィー法として,ポリマーの化学的特性を利用し,パターンの規則性を制御する直接自己組織化(DSA)法に着目した。15nm以下の高密度ラインパターニングでは,ブロックコポリマーを利用したDSAが利用される可能性がある。COOLプロセスを用いたDSAパターニングにおいて,ポリマーの化学的特性に起因するパターンの規則性を高精度に計測するために,CD-SEM計測法の利用について検討した。CD-SEMでパターンの画像を取得し,個々のパターン位置に対応するエッジ配置および粗さの性質を評価した。DSAラインパターンの測定技術を改善し,それらの位置を区別した。各ラインのエッジラフネスと各スペースとの相関を評価した。この方法は,複雑なラフネスの特徴を容易に視覚化し,COOLプロセス制御に利用できることが分かった。リソグラフィでは,ピッチ分解能が向上し,誘導パターンのものよりも小さい値にCD誤差を低減できた。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *走査電子顕微鏡 ,  ブロック共重合体 ,  *リソグラフィー ,  *自己組織化 ,  分解能 ,  *電子顕微鏡観察 ,  *半導体プロセス ,  長さ測定 ,  測定精度 ,  表面粗さ ,  *回路パターン形成 ,  プロセス制御 ,  測長走査型電子顕微鏡
準シソーラス用語： CD-SEM【顕微鏡】 ,  ラインエッジラフネス ,  走査型電子顕微鏡 ,  半導体デバイス製造

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシー ,  プロセス ,  DSA ,  検証 ,  CD-SEM ,  計測