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J-GLOBAL ID：201602283142396727   整理番号：16A0726733

ルテニウムをドープしたInPとZnの濃度プロフィルの最適化【Powered by NICT】

Optimizing the concentration profile of Zn with ruthenium doped InP

著者 (5件)： Yamaguchi Harunaka (High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Nakai Eiji (High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Kawahara Hiroyuki (High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Nishida Takehiro (High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan) ,  Watanabe Hitoshi (High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-8641, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ルテニウムをドープしたリン化インジウム(Ru-InP)への亜鉛(Zn)の拡散,埋込みヘテロ構造(BH)レーザにおける電流ブロッキング層として使用されるを調べた。BHレーザのブロッキング層にp-InP(ZnドープInP)/Ru InP/p InP構造を適用することにより,優れたレーザ特性を得ることができた。いくつかのエピタキシャル法はRu InPを含む電流ブロッキング層の劣化を抑制するために使用した。特に,p InP/Ru InP/p InP構造におけるRu InPへのZn拡散はBHレーザ特性の劣化を引き起こす主要な因子と考えられている。本論文では,有機金属気相エピタクシーにより成長させたp InP/Ru InP/p InP構造をアニールしたとき,p-InPからのRu InPへのZnの拡散挙動を調べた。BHレーザ加工中のZn拡散を抑制する適切なエピタキシャル成長条件を同定した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザ ,  エピタクシー ,  *亜鉛 ,  *ルテニウム ,  MOCVD ,  *濃度分布 ,  電流 ,  *ドーピング ,  レーザ加工 ,  *最適化 ,  *リン化インジウム
準シソーラス用語： ブロッキング層 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ルテニウム ,  ドープ ,  InP ,  Zn ,  濃度プロフィル ,  最適化