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J-GLOBAL ID：201602283175804518   整理番号：16A0941607

n型GaN光電極上の島状NiOとNiO層構造の光電気化学特性

著者 (6件)： 小池佳代 (東大 工) ,  山本和広 (大阪大) ,  大原智 (大阪大) ,  杉山正和 (東大 工) ,  中野義昭 (東大 工) ,  藤井克司 (北九州市大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-A24-8  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *N型半導体 ,  *光電極 ,  *島状構造 ,  *層状化合物 ,  *光電気化学反応 ,  分解反応 ,  光電流 ,  *酸化ニッケル ,  光照射 ,  光透過 ,  表面構造 ,  水分解 ,  構造
準シソーラス用語： 層構造

分類 (5件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  光電極 ,  島 ,  NiO ,  層構造 ,  光電気化学特性