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J-GLOBAL ID：201602285980570453   整理番号：13A1264616

A single-event-hardened phase-locked loop using the radiation-hardened-by-designtechnique

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著者 (4件)：
Han Benguang

Han Benguang について

(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)

Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an について

, 
Guo Zhongjie

Guo Zhongjie について

(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)

Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an について

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Wu Longsheng

Wu Longsheng について

(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)

Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an について

, 
Liu Youbao

Liu Youbao について

(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)

Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an について


資料名：
Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)

Journal of Semiconductors について


巻： 33  号： 10  ページ： 105007-1-105007-6  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

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