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J-GLOBAL ID：201602286972123108   整理番号：16A0679381

三次元統合における(TSV)によるシリコンの新しいトップダウンCu充填【Powered by NICT】

Novel top-down Cu filling of through silicon via (TSV) in 3-D integration

著者 (4件)： Ting-Chia Weng (Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Jun-Liang Lu (Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Shoou-Jinn Chang (Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Ting-Jen Hsueh (National Nano Device Laboratories, Tainan 741, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IITC/AMC  ページ： 125-126  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学機械研磨,一時的結合および剥離プロセスなし(TSV)作製プロセスを介したシリコンによる新規Cuを提示した。研究は,それぞれ二面上の平坦な銅と銅ピラーを効果的に製造する新しいプロセスを用いた。Cuは各TSVに充填した均一に,その平均抵抗は約0.55mΩであった。銅の抵抗特性は理論値と一致した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銅 ,  *三次元 ,  化学機械研磨 ,  *ケイ素 ,  機械工作
準シソーラス用語： *トップダウン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  自然語処理  (JE06000L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 統合 ,  TSV ,  シリコン ,  トップダウン ,  Cu