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J-GLOBAL ID:201602288659225821   整理番号:16A0601445

積層1D2R RRAMアレイを用いた高密度,高信頼性不揮発性フィールドプログラマブルゲートアレイ【Powered by NICT】

High-Density and High-Reliability Nonvolatile Field-Programmable Gate Array With Stacked 1D2R RRAM Array
著者 (4件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 139-150  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0516A  ISSN: 1063-8210  CODEN: ITCOB4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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相互接続の巨大な面積オーバヘッドはスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)をベースにしたフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)における重要な問題の一つであり,高電力消費と遅い動作速度をもたらした。もう一つの重要な問題は,SRAMの揮発性特徴,高待機漏れ電流と長い電力ON時間をもたらす。高抵抗比と零待機電力を用いた抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)は,FPGA応用に大きな可能性を有している。従来RRAMベース不揮発性FPGA(NVFPGAs)はnMOSスイッチとSRAMの両方を置き換えるためにSRAMまたは1RRAM(1R)細胞を置き換えるために1トランジスタII RRAM(1T2R)貯蔵要素を使用するかもしれない。しかし,これらNVFPGAスキームは低信頼性,高配置電力,高アクティブ漏洩電力の問題に悩まされている可能性がある。本論文では,nMOSスイッチおよび6トランジスタ(6T)SRAMを置き換えるための新しい要素[1ダイオード二rram(1D2R)細胞]を提案した。1D2R要素に基づいた論理ブロック,接続ブロック,スイッチブロック,FPGAアーキテクチャの新しいブロック構造を提案した。従来1T2RベースNVFPGAと比較して,この新しい構造は40.5%低い運転出力での運転速度を53%まで改善した。従来1RベースNVFPGAと比較して,提案方式は20倍以上低い書込みパワーで八桁書込み誤り率を大幅に低減できた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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